媒体报道

第三代半导体产研院成立
    如何让半导体器件更小、耐受更高电压、具备更低导通电阻和更快的开关速度?以氮化镓(GaN)为主的第三代半导体将成为发展方向。日前,江苏华功第三代半导体产业技术研究院成立,致力于第三代半导体技术的产业化。
  
  硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计、工艺优化等环节已经十分成熟,硅材料已经越来越逼近它的物理极限。中科院院士、江苏华功第三代半导体产业技术研究院院长甘子钊教授介绍,与硅功率电子器件相比,第三代宽禁带半导体氮化镓具备更高耐压、更低导通电阻和更快的开关速度等优势,可使电源系统工作频率更高、损耗更低、尺寸更小,具备广阔的产业发展和应用前景。

来源:人民日报  
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