会议报道

  由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料学分会联合主办的全国半导体集成电路、硅材料学术会议是我国半导体集成电路、硅材料技术最高级别学术会议。通过学术会议展示我国在半导体集成电路、电子材料领域的最新研究成果,交流最新发展动态,每两年举行一次,已成功举办了十七届。

  由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料学分会主办,西安电子科技大学、陕西省半导体行业协会、陕西省电子学会承办的第十八届全国半导体集成电路与硅材料学术会议于2014年6月14-15日在陕西西安唐城宾馆如期举行。
大会由陕西省半导体行业协会常务副理事长邱义路主持,西安电子科技大学副校长郝跃院士为大会致辞并做主题发言, 来自全国各高校院所的学者、专家近140人参加了开幕式。出席本次大会的主题报告嘉宾有:浙江大学硅材料国家重点实验室主任、半导体材料研究所所长杨德仁教授,西安电子科技大学副校长杨银堂教授,工信部电子五所国家重点实验室副主任恩云飞研究员,中芯国际(SMIC)技术副总裁吴汉明教授,中国科学院微电子所霍宗亮研究员,出席会议的还有西安交通大学、西安理工大学、西北工业大学、西北大学、西安邮电大学主要负责人。

  杨德仁教授做了题为“极大规模电路用硅单晶的杂质工程”的主题报告,杨银堂教授做了题为“基于TSV的三维集成电路技术”,恩云飞研究员做了题为“失效分析技术及发展应用”的主题报告,吴汉明教授做了题”“为集成电路芯片制造工艺技术和产业的主题报告”,霍宗亮研究员做了题为“The Developing Status and Challenge for Non-volatile Memory”的主题报告,这四个主题报告向与会者传递了国内外新的发展趋势,引起与会者的极大兴趣和高度评价。

  来自全国各高校院所的专家学者近140余人在为期1天半的会议上报告了我国在半导体集成电路、电子材料领域的最新研究成果。会议还分别安排了半导体材料、半导体器件与工艺、集成电路三个分会场,110多篇论文以口头演讲与专题讨论相结合的方式进行,使与会者进行了充分的交流与沟通,了解目前国内半导体集成电路与硅材料方面研究发展的新趋势。
通过本次会议展示我国在半导体集成电路、电子材料领域的最新研究成果,交流最新发展动态,促进和发展了我国在半导体集成电路与硅材料领域的技术水平,并为从事相关行业的研究、开发和生产科技人员提供了一个交流的平台,在西安举办这次会议,对本地区的半导体发展起到了极大的催进和指引作用。

会议主题范围

1. 硅和硅基材料及其制备工艺;
2. 硅和硅基材料性质与表征技术;
3. 多晶硅材料及其应用;
4. 器件物理和器件模拟;
5. 数字、模拟、混合信号IC及SoC设计;
6. 低功耗、RF器件与电路;
7. 硅/锗器件及其实现技术
8.混合集成电路及MCM技术;
9. 电力电子器件及智能功率集成电路;
10. 显示、传感器及微机电系统;
11. 太阳能电池和其它新能源器件;
12. 硅基纳电子、分子电子学、纳米器件及应用;
13. 系统集成技术;
14. 集成电路CAD、EDA技术;
15. 互连、高K、低K及其它工艺;
16. 建模建库与工艺设计包(PDK)应用;
17. 集成电路封装与测试技术;
18. 集成电路失效分析及可靠性设计与评估;
19. 微电子技术在科研、生产及其它领域的应用成果和经验;
20. 微电子技术在国民经济发展中的地位、作用及其发展战略。